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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 33V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
这些超高压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低电容和栅极电荷
- 最高结温175 °C
应用领域
-开关应用