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STH2N120K5-2AG
汽车级N沟道1200V, 7.25 Q typ., 1.5 A
- 描述
- 汽车级N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH2N120K5-2AG
- 商品编号
- C2970010
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 124pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款全钳位MOSFET采用意法半导体（ST）最新的先进网状覆盖工艺制造，该工艺基于创新的条形布局。这项新技术的固有优势加上额外的钳位能力，使该产品特别适合在最恶劣的操作条件下使用，例如汽车环境中遇到的条件。该器件也非常适合其他需要更高耐用性的应用。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
应用领域
-开关应用