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STH2N120K5-2AG
汽车级N沟道1200V, 7.25 Q typ., 1.5 A
- 描述
- 汽车级N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH2N120K5-2AG
- 商品编号
- C2970010
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 124pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻,并实现超低栅极电荷,适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
应用领域
-开关应用