温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGE200NB60S
N沟道150A-600V，ISOTOP低压降功率MESH IGBT
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGE200NB60S
- 商品编号
- C2970018
- 商品封装
- ISOTOP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 38.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 输出电容(Coes) | 1100pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.56nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 64ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 2.4us | |
| 导通损耗(Eon) | 11.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 59mJ | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF |
优惠活动
购买数量
(100个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个100个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单