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STGE200NB60S
N沟道150A-600V，ISOTOP低压降功率MESH IGBT
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGE200NB60S
- 商品编号
- C2970018
- 商品封装
- ISOTOP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 38.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 400A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.56nF | |
| 输出电容(Coes) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 64ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 2.4us | |
| 导通损耗(Eon) | 11.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 59mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用基于专利条形布局的高压技术设计的PowerMESH™ IGBT系列，后缀“S”标识的系列经过优化，可实现极低的VCE(sat)（在最大频率1KHz下）
商品特性
- 高输入阻抗（电压驱动）
- 低导通压降（Vcesat）
- 关断损耗包括尾电流
- 低栅极电荷
- 高电流能力
应用领域
- 低频电机控制
- 铝焊接设备