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STD10NF30
1个N沟道 耐压:300V 电流:10A
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- 描述
- 汽车级N沟道300 V、0.28 Ohm典型值、10 A MESH OVERLAY功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10NF30
- 商品编号
- C2970017
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET工艺开发而成，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- 100%雪崩测试
- 低电容和低栅极电荷
- 最高结温175 °C
应用领域
- 开关应用