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STB24N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
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- 描述
- N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB24N60DM2
- 商品编号
- C2969962
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 与上一代产品相比,RDS(on) x 面积更低
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
-开关应用