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STP50NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:45A
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- 描述
- 采用独特的STripFET™工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门针对降低导通电阻和栅极电荷进行了设计。因此，它适合用作原边开关，可实现高效率。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP50NF25
- 商品编号
- C2969938
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 最小化栅极电荷
- 低本征电容
应用领域
-开关应用