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STB45N50DM2AG
汽车级N沟道MOSFET,电流:35A,耐压:500V
- 描述
- 汽车级N沟道500 V、0.07 Ohm典型值、35 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB45N50DM2AG
- 商品编号
- C2969944
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.466667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率有较高要求的应用。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合 AEC - Q101 标准
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用