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STD105N10F7AG
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 描述
- 汽车级N沟道100 V、6.8 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD105N10F7AG
- 商品编号
- C2969853
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.369nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是采用STripFET H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 具备出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,抗电磁干扰(EMI)能力强
- 雪崩耐量高
应用领域
-开关应用