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STL225N6F7AG
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 汽车级N沟道60 V、1.2 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL225N6F7AG
- 商品编号
- C2969909
- 商品封装
- PowerFLAT5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.2nF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷Qrr和恢复时间trr，同时导通电阻RDS(on)较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上最低的导通电阻(RDS(on))之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 混合动力电动汽车(H.E.V.)的DC-DC转换器