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SD2943W
1个N沟道 耐压:130V
- 描述
- 350W - 50V HF/VHF DMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SD2943W
- 商品编号
- C2969917
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 13.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 130V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 648W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
这些超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 高功率能力
- P\textOUT = 350 \text W(最小值,在30 MHz时增益为22 dB)
- PSAT = 450 ~W
- 低RDS(on)
- 采用热增强型封装,可降低结温
- 镀金工艺
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
应用领域
- 开关应用