温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW12N170K5
N沟道,电流:5A,耐压:1700V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道1700 V、2.3 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW12N170K5
- 商品编号
- C2969927
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅能实现极低的导通电阻，还能降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
-业界最低的导通电阻与面积乘积(Rds(ON) x 面积)-业界最佳的品质因数(FOM)-超低栅极电荷-齐纳保护
应用领域
-开关应用