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STL3N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:2.3A
- 描述
- N沟道650 V、1.6 Ohm典型值、2.3 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL3N65M2
- 商品编号
- C2969876
- 商品封装
- PowerFLAT-8HV(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
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