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PWD13F60

高密度功率驱动器——带集成栅极驱动器的高压全桥

描述: 高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: PWD13F60
商品编号: C2969893
商品封装: VQFN-28-Power
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

一款高密度功率驱动器，采用双半桥配置，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET。集成的功率MOSFET具有320 mΩ的低导通电阻（RDS(on)）和600 V的漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成的自举二极管轻松供电。该器件的高度集成性使其能够在狭小空间内高效驱动负载。该器件的电源电压（VCC）范围广泛，并通过电源电压的低压欠压锁定（UVLO）检测进行保护。输入引脚的宽范围允许其轻松与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器接口。该器件采用紧凑的VFQFPN封装。

商品特性

集成栅极驱动器和高压功率MOSFET的功率系统级封装
低导通电阻RDS(on)=320 mΩ
漏源击穿电压BVDSS=600 V
适用于全桥或双独立半桥运行
宽驱动器电源电压，低至6.5 V
电源电压欠压锁定（UVLO）保护
3.3 V至15 V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
互锁功能，防止交叉导通
内部自举二极管
输出与输入同相
布局非常紧凑且简化
设计灵活、简便、快速

应用领域

工业和家用电器的电机驱动器
工厂自动化
风扇和泵
高强度气体放电灯（HID）、镇流器
电源单元、DC-DC和DC-AC转换器

数据手册PDF

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交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/托盘，最小起订量 1 个)

个

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总价金额：

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥；半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	6.5V~19V
	下降时间(tf)	360ns

	属性	参数值
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.9V~2.3V
	输入低电平(VIL)	800mV~1.1V
	静态电流(Iq)	270uA