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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~36V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 2uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制；过流保护；充电泵升压 |
商品概述
VND5050K - E和VND5050J - E是采用意法半导体VIPower M0 - 5技术制造的单片器件。它们用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。有源VCC引脚电压钳位可保护器件免受低能量尖峰影响（参见ISO7637瞬态兼容性表）。当STAT_DIS引脚悬空或驱动为低电平时，器件可在导通和关断状态下检测开路负载情况。在关断状态下可检测输出短路到VCC的情况。当STAT_DIS引脚驱动为高电平时，STATUS引脚处于高阻抗状态。输出电流限制可在过载情况下保护器件。若过载持续时间较长，器件会将耗散功率限制到安全水平，直至热关断介入。带自动重启功能的热关断可使器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。
商品特性
- 所有负载连接时的典型值
- 通过功率限制进行浪涌电流主动管理
- 极低的待机电流
- 3.0 V CMOS兼容输入
- 优化的电磁辐射
- 极低的电磁敏感度，符合2002/95/EC欧洲指令
- 开漏状态输出
- 导通状态开路负载检测
- 关断状态开路负载检测，热关断指示
- 欠压关断
- 过压钳位，输出锁定到VCC检测
- 负载电流限制
- 快速热瞬变自限，防止接地丢失和VCC丢失，热关断
- 反向电池保护
- 静电放电保护
应用领域
- 各种电阻性负载
- 电感性负载
- 电容性负载