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VNS7NV04PTR-E
全自保护功率MOSFET，适用于替代标准功率MOSFET，具备短路保护、集成钳位等功能
- 描述
- OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNS7NV04PTR-E
- 商品编号
- C2969901
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | - | |
| 上升时间(tr) | 470ns | |
| 下降时间(tf) | 350ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；短路保护(SCP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 500mV~2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；过流保护 |