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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VNS7NV04PTR-E

全自保护功率MOSFET,适用于替代标准功率MOSFET,具备短路保护、集成钳位等功能

描述
OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET
商品型号
VNS7NV04PTR-E
商品编号
C2969901
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)-
拉电流(IOH)-
工作电压-
上升时间(tr)470ns
属性参数值
下降时间(tf)350ns
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)500mV~2.5V
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)100uA
功能特性交错导通保护;过流保护

商品概述

VNN7NV04P-E、VNS7NV04P-E是单片器件,用于替换DC到50kHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位保护,可在恶劣环境中工作。故障反馈可通过监测输入引脚的电压检测。采用SOT-223和SO-8封装。

商品特性

  • 线性电流限制
  • 热关断
  • 短路保护
  • 集成钳位
  • 输入引脚消耗低电流
  • 通过输入引脚提供诊断反馈
  • ESD保护
  • 直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
  • 兼容标准功率MOSFET(符合2002/95/EC欧洲指令)

应用领域

  • DC到50kHz应用中的标准功率MOSFET替换
  • 需要故障反馈监测的电路
  • 需要ESD保护、过压钳位和短路保护的应用场景

数据手册PDF