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STB6N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.5A
描述
N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB6N80K5商品编号
C2969906商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@2A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 255pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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