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STL6N3LLH6
N沟道,电流:6A,耐压:30V
- 描述
- N沟道30 V、0.021 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL6N3LLH6
- 商品编号
- C2969890
- 商品封装
- WDFN-6-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 283pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ H6技术开发的P沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐用性-低栅极驱动功率损耗
应用领域
-开关应用