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STD18NF03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
- 描述
- N沟道30 V、0.038 Ohm典型值、17A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD18NF03L
- 商品编号
- C2969870
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.407克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ H6技术开发的P沟道功率MOSFET。由此得到的功率MOSFET在所有封装中均表现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用