温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STR2N2VH5
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、2.3 A STripFET H5功率MOSFET，SOT-23封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STR2N2VH5
- 商品编号
- C2969837
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@16V | |
| 输入电容(Ciss) | 367pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低导通状态下漏源极电阻
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用