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STL20N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- N沟道60 V、0.0046 Ohm典型值、20 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL20N6F7
- 商品编号
- C2969815
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是采用STripFET™ H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FoM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 市场上最低的RDS(ON)之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用