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FDMC86570LET60
FDMC86570LET60
- 描述
- N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86570LET60
- 商品编号
- C890974
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
此N沟道MOSFET采用飞兆带屏蔽栅极技术的先进PowerTrench工艺生产。该工艺针对导通阻抗优化,可保持卓越开关性能。
商品特性
- T J额定值扩展: 175°C
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大r DS(on) = 4.3 mΩ (V GS = 10 V, I D = 18 A)
- 最大r DS(on) = 6.5 mΩ (V GS = 4.5 V, I D = 15 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的r DS(on)
- 终端为无铅产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换