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FDMD8260L
2个N沟道 耐压:60V 电流:64A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8260L
- 商品编号
- C890981
- 商品封装
- PQFN-12(3.3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.245nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS= 10 V、ID = 15 A 时,最大 RDS(ON)= 5.8 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 12 A 时,最大 rDS(on) = 8.7 m Ω
- 非常适合桥拓扑初级侧的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
- 引脚无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥:无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点:48V同步降压开关