温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC86340
FDMC86340
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86340
- 商品编号
- C890973
- 商品封装
- PQFN-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 14 A时，最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- VGS = 8 V、ID = 12 A时，最大rDS(on) = 8.5 mΩ
- 具备极低rDS(on)的高性能技术
- 引脚无铅
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换