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FDMC86324
N沟道功率沟槽MOSFET，采用先进功率沟槽工艺，低电阻，开关性能好，低外形，符合RoHS标准，适用于DC - DC转换
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86324
- 商品编号
- C890972
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 725pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造,该工艺经过特别优化,可在保持出色开关性能的同时,最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 4 A时,最大rDS(on) = 37 mΩ
- 低外形高度——Power 33封装最大高度为1 mm
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换