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FDMC86324
FDMC86324
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86324
- 商品编号
- C890972
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造,该工艺经过特别优化,可在保持出色开关性能的同时,最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 4 A时,最大rDS(on) = 37 mΩ
- 低外形高度——Power 33封装最大高度为1 mm
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换