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FDMC86324
FDMC86324
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86324
- 商品编号
- C890972
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild's advanced PowerTrench process, which is specifically tailored to minimize on-state resistance while maintaining excellent switching performance.
商品特性
- Extended TJ rating: 175°C
- Maximum rDS(on) = 34 mΩ (VGS = 10 V, ID = 5.4 A)
- Maximum rDS(on) = 44 mΩ (VGS = 6 V, ID = 4.8 A)
- High-performance trench technology enables extremely low rDS(on)
- 100% UIL tested
- Lead-free terminals
- RoHS compliant
应用领域
- DC-DC conversion