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FDMC86260ET150
FDMC86260ET150
- 描述
- 这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86260ET150
- 商品编号
- C890969
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
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