- 引脚图
- 焊盘图
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FDMC86260ET150
FDMC86260ET150
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- 描述
- 这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86260ET150
- 商品编号
- C890969
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该N沟道MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
商品特性
- T J额定值扩展: 175°C
- 最大 rDS(on) = 34 m Ω (VGS = 10 V, ID = 5.4 A )
- 最大 rDS(on) = 44 m Ω (VGS = 6 V, ID = 4.8 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 100%经过UIL测试
- 终端为无铅产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换