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FDMC86320
1个N沟道 耐压:80V 电流:22A 电流:10.7A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86320
- 商品编号
- C890971
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W；2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用了融合屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 10.7 A时,最大rDS(on) = 11.7 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 8.5 A时,最大rDS(on) = 16 mΩ
- MSL1坚固封装设计
- 100%通过UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC开关
- 电机桥开关
- 同步整流器