FDMD8240LET40
FDMD8240LET40
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- 描述
- 此器件在一个双 Power (3.3 mm X 5 mm) 封装中包括了两个 40V N 沟道 MOSFET。针对半桥/全桥内部连接的 HS 源和 LS 漏极，低源电感封装，低 rDS(on) / Qg FOM 硅。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8240LET40
- 商品编号
- C890980
- 商品封装
- PQFN-12(3.3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FDMS0302S旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 扩展的结温(TJ)额定值至 175°C
- 在 VGS= 10 V、ID = 23 A 时,最大 RDS(ON)= 2.6 m Ω
- 在 VGS= 4.5 V、ID = 19 A 时,最大 RDS(ON)= 3.95 m Ω
- 非常适合桥拓扑结构初级侧的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 具备开尔文高侧MOSFET驱动引脚功能
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥:无刷直流(BLDC)电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点(MV POL):同步降压开关