FDMD8900
FDMD8900
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8900
- 商品编号
- C890990
- 商品封装
- PQFN-12-EP(3.3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 19 A时,最大rDS(on) = 4 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5 mΩ
- VGS = 3.8 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- VGS = 3.5 V、ID = 14 A时,最大rDS(on) = 8.3 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- VGS = 3.8 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 9 mΩ
- VGS = 3.5 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 12 mΩ
- 非常适合桥接拓扑初级侧的灵活布局
- 引脚无铅且符合RoHS标准
- 经过100% UII测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
- 功率3.3 x 5
应用领域
- 计算领域
- 降压、升压和降压/升压应用
- 通用负载点(POL)应用