FDMF5821DC

包含 Flip Chip 低侧 MOSFET 和 Dual Cool 架构的超紧凑型 5 mm×5 mm PQFN 封装 高电流处理能力：60 A 三态 5 V PWM 输入栅极驱动器 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET 开关 自动 DCM（低侧栅极关断）使用 ZCD# 输入 具有模块温度报告功能的执监控器 可编程的热关断 (P_THDN) 高侧短路故障 # 检测/关断 双通道模式使能/故障 # 引脚 ZCD# 输入和 EN 输入各自的内部上拉和下拉 Fairchild PowerTrench MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声 低侧 MOSFET 中的 Fairchild SyncFET 技术（集成肖特基二极管） 集成式自举肖特基二极管 优化的/极短的死区时间 VCC 欠压锁定 (UVLO) 为使开关频率达到 1.5 MHz 而进行优化 PWM 最低可控导通时间：30 ns 低关断电流： <3 μA 优化的 FET 对以实现最高效率：10~15% 占空比 工作结温范围： -40°C 至 +125°C 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准

SPS 系列是新一代完全优化的超小型集成 MOSFET 及驱动器功率级解决方案，可用于高电流、高频率、同步降压 DC-DC 应用。FDMF5821DC 将一个带有自举肖特基二级管的驱动器、两个功率 MOSFET 和一个热监控器集成至热增强的超紧凑型 5 mm×5 mm 封装内。

通过集成的方法对 SPS 开关功率级进行了优化，以实现驱动器和 MOSFET 的动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON)。SPS 系列采用高性能 PowerTrench MOSFET 技术，可以减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器 IC 通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热监控功能会发出潜在过温情况的警告。如果发生过温情况，可编程的热关断功能则会关断驱动器。FDMF5821DC 还为提高轻载效率整合了自动 DCM 模式(ZCD#)。FDMF5821DC 还提供了三态 5 V PWM 输入，可实现与广泛的 PWM 控制器的兼容性。

• 包含 Flip Chip 低侧 MOSFET 和 Dual Cool 架构的超紧凑型 5 mm×5 mm PQFN 封装
• 高电流处理能力：60 A
• 三态 5 V PWM 输入栅极驱动器
• 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET 开关
• 自动 DCM（低侧栅极关断）使用 ZCD# 输入
• 具有模块温度报告功能的热监控器
• 可编程的热关断 (P_THDN)
• 高侧短路故障 # 检测/关断
• 双通道模式使能/故障 # 引脚
• ZCD# 输入和 EN 输入各自的内部上拉和下拉
• Fairchild PowerTrench MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低侧 MOSFET 中的 Fairchild SyncFET 技术（集成肖特基二极管）
• 集成式自举肖特基二极管
• 优化的/极短的死区时间
• VCC 欠压锁定 (UVLO)
• 为使开关频率达到 1.5 MHz 而进行优化
• PWM 最低可控导通时间：30 ns
• 低关断电流： <3 μA
• 优化的 FET 对以实现最高效率：10~15% 占空比
• 工作结温范围： -40°C 至 +125°C
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准

• 服务器和工作站、V-Core 和非 V-Core 直流—直流转换器
• 台式和一体式电脑、V-Core 和非 V-Core 直流—直流转换器
• 高性能游戏主板
• 高电流直流—直流负载点 (POL) 转换器
• 网络和电信微处理器稳压器
• 小尺寸稳压器模块