温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMD8680
2个N沟道 耐压:80V 电流:66A 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此封装在共源配置中集成了两个内部连接的 N 沟道器件。因此实现了极低的封装寄生，以及通向底部共源片的优化热路径。提供了极小的占地面积 (5 x 6 mm)，实现了更高的功率密度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8680
- 商品编号
- C890989
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.33nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
近期成交1单