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FDMD8680
2个N沟道 耐压:80V 电流:66A 停产
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- 描述
- 此封装在共源配置中集成了两个内部连接的 N 沟道器件。因此实现了极低的封装寄生，以及通向底部共源片的优化热路径。提供了极小的占地面积 (5 x 6 mm)，实现了更高的功率密度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8680
- 商品编号
- C890989
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 共源极配置,消除 PCB 布线问题
- 封装底部设有大尺寸源极焊盘,提升散热性能
- VGS = 10 V、ID = 16 A 时,最大 rDS(on) = 4.7 mΩ
- VGS = 8 V、ID = 14 A 时,最大 rDS(on) = 6.4 mΩ
- 非常适合次级侧同步整流的灵活布局
- 经过 100% UI1L 测试
- 引脚无铅,符合 RoHS 标准
应用领域
- 主DC-DC开关
- 电机桥开关
- 同步整流器