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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率(3.3 mm X 5 mm)封装中集成了两个100V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接,适用于半桥/全桥应用,采用低源极电感封装和低rDS(on)/Qg品质因数硅技术。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 19 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 5.5 A时,最大rDS(on) = 33 mΩ
- 非常适合桥拓扑初级侧的灵活布局
- 引脚端无铅且符合RoHS标准
- 经过100% UII测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚输出能力
应用领域
- 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥:无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点:48V同步降压开关