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DMP2070UQ-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻35mΩ。器件在低电压应用中具备较低的导通损耗，适用于电池管理、便携设备及低压电源切换电路。其参数设计优化了电流承载能力与热性能，适合对空间布局与能效有明确要求的紧凑型电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMP2070UQ-13-HXY
商品编号: C54582701
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.039克(g)

商品参数

DMP2070UQ - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。