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BXK9Q29-60AJ-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为20A，漏源击穿电压60V，导通电阻典型值24毫欧，栅源耐压20V。器件具备稳定的开关特性与较低的导通损耗，适用于各类直流电源转换、负载开关电路及便携式设备的功率管理模块，能够在大电流切换过程中保持高效运行并优化系统热性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BXK9Q29-60AJ-HXY
商品编号: C54582531
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品参数

BXK9Q29 - 60AJ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。