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SQD40081EL_GE3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管具备80A漏极电流与40V漏源电压，导通电阻为7.3毫欧。低阻值特性有效降低导通损耗，提升系统能效。器件适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。在高电流切换场景中，其参数支持紧凑化设计，满足消费电子与通信终端对功率密度及热性能的严格要求，确保电路稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQD40081EL_GE3-HXY
商品编号: C54582537
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

SQD40081EL_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。