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SUD45P04-16P-GE3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）额定连续漏极电流为50A，漏源击穿电压40V，导通电阻典型值10mΩ。器件在低电压大电流场景下具备高效开关特性，适用于电池管理、电源切换及负载控制电路。其低导通损耗有助于提升系统能效，适合对空间与热设计有要求的紧凑型电子设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD45P04-16P-GE3-HXY
商品编号: C54582550
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.408克(g)

商品参数

SUD45P04 - 16P - GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。