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RD3P06BBLHRBTL-HXY
RD3P06BBLHRBTL-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培，漏源击穿电压达100伏，导通电阻典型值为13.5毫欧。器件具备低导通损耗特性，适用于中大功率开关电路、直流电机驱动及电源转换模块。其参数设计兼顾效率与热管理，适合需要快速切换和稳定电流控制的电子系统，如服务器电源、储能设备及高性能计算平台的供电单元，确保系统在持续负载下的可靠运行。
- 商品型号
- RD3P06BBLHRBTL-HXY
- 商品编号
- C54582565
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品概述
RD3P06BBLHRBTL采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。封装形式为TO - 252 - 2L。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 60A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
- 引脚3为源极（S），N沟道MOSFET
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用
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