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PHD34NQ10T-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为30A，漏源击穿电压达100V，导通电阻典型值为37毫欧，栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗与高电压承受能力，适用于大功率直流电机驱动、电池管理系统及高效电源转换模块。在高频开关电路中，其优异的动态特性可显著降低热耗散，提升系统整体能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PHD34NQ10T-HXY
商品编号: C54582599
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

PHD34NQ10T采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。