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AOT2916L

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为33A，漏源击穿电压达100V，导通电阻典型值为30毫欧，栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗特性，适用于高电流密度的电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。其参数设计旨在优化开关效率，满足各类电子设备对功率级元器件的严苛性能要求，确保系统在连续负载下的稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOT2916L
商品编号: C54582609
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.7克(g)

商品参数

AOT2916L采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用。