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STF13N65M2-HXY
STF13N65M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备650V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力，导通电阻典型值为380mΩ。器件凭借高耐压特性，适用于高压电源转换及电机驱动电路中的开关单元。在各类电力电子系统中，其低导通损耗有助于提升整体能效，满足对功率密度有要求的设备设计需求，广泛服务于消费电子及通用电源领域。
- 商品型号
- STF13N65M2-HXY
- 商品编号
- C54582629
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.745833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.234nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品概述
STF13N65M2可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 650V，漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 0.3Ω
应用领域
适配器和充电器的电源开关电路。
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