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IPA65R420CFDXKSA2-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备650V漏源击穿电压（VDSS），支持20A连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）为380mΩ，相比同类器件具有更低的导通损耗。该参数组合适用于中高功率密度的电源转换场景，如大功率适配器、服务器电源及照明驱动系统。器件能在高电压环境下提供稳定的电流承载能力，优化电路的热管理表现，满足通用电子设备对高效功率开关的基础需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPA65R420CFDXKSA2-HXY
商品编号: C54582635
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.768克(g)

商品参数

IPA65R420CFDXKSA2可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。

适配器和充电器的电源开关电路。