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CDM22010-650SL-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为10A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为860mΩ，栅源电压耐受范围±30V。器件适用于高压开关电路、电源转换模块及电机驱动系统，在需要高效能功率控制的场合中表现稳定，可支持快速开关操作并降低导通损耗，满足多种电子设备对高耐压与大电流处理的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CDM22010-650SL-HXY
商品编号: C54582639
商品封装: TO-220H
包装方式: 管装
商品毛重: 3.084克(g)

商品参数

CDM22010 - 650SL可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220H，符合RoHS标准。

适配器和充电器的功率开关电路。