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SI4425BDY-T1-GE3-HXY
SI4425BDY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为12安培，漏源击穿电压达30伏，导通电阻典型值为10毫欧。器件在低电压开关应用中表现稳定，适用于电池保护、负载切换及电源管理电路。其低导通损耗特性有助于提升系统效率，适合对空间与热性能有要求的便携式设备或消费类电子产品中的直流控制场景。
- 商品型号
- SI4425BDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582656
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
SI4425BDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装为SOP-8。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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