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RSS090P03FU6TB-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压30V，导通电阻10毫欧。其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。作为高侧开关，该器件在低压直流系统中能有效控制电流流向，常与N沟道器件配合构建同步整流拓扑，优化电路板布局，满足消费电子对功耗控制与空间集成度的严格要求。
- 商品型号
- RSS090P03FU6TB-HXY
- 商品编号
- C54582676
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
RSS090P03FU6TB采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP - 8。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -12A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源