SI4776DY-T1-GE3-HXY

SI4776DY-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管最大漏极电流为8.5安培，漏源击穿电压达30伏，导通电阻低至14毫欧。凭借低导通损耗特性，器件适用于高效率电源转换模块、电池管理系统及便携式设备供电电路。在直流电机驱动与负载开关应用中，其优异的电流承载能力可确保系统稳定运行，满足消费电子与通信设备对紧凑布局及热管理的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI4776DY-T1-GE3-HXY

商品编号

C54582685

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)