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SI4776DY-T1-GE3-HXY
SI4776DY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为8.5安培，漏源击穿电压达30伏，导通电阻低至14毫欧。凭借低导通损耗特性，器件适用于高效率电源转换模块、电池管理系统及便携式设备供电电路。在直流电机驱动与负载开关应用中，其优异的电流承载能力可确保系统稳定运行，满足消费电子与通信设备对紧凑布局及热管理的设计需求。
- 商品型号
- SI4776DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582685
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
商品概述
SI4776DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 8.5A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源