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AON6558
AON6558
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压30V，导通电阻4.3毫欧，栅源电压耐受20V。低导通电阻特性显著降低大电流下的导通损耗，适用于服务器电源、电池管理系统及电机驱动电路。其参数支持高频开关操作，能提升直流转换效率，常见于通信设备供电单元与高性能消费电子的功率级设计，满足紧凑空间内的散热与能效需求。
- 商品型号
- AON6558
- 商品编号
- C54582692
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF |
商品概述
AON6558采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式直流同步整流应用