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AO3499

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描述: 该P沟道场效应管额定漏极电流为3安培，漏源击穿电压20伏，导通电阻60毫欧。作为高侧开关或负载断开器件，其特性适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及低压直流负载切换场景。在有限空间内提供可靠的反向极性保护与通断控制，满足消费电子及通信模块对紧凑布局与低功耗的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AO3499
商品编号: C54582695
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

AO3499采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。