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DMG2305UXQ-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流5A，漏源击穿电压20V，导通电阻35mΩ。器件在低压环境下具备低导通损耗特性，能有效降低功率转换过程中的热耗散。适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及负载开关电路。其电气参数支持高效的电流控制，满足消费电子与通信终端对紧凑布局及稳定供电的设计要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMG2305UXQ-13-HXY
商品编号: C54582700
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.04克(g)

商品参数

DMG2305UXQ - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。