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AO3495

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描述: 该P沟道场效应管漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻35毫欧。作为高侧开关元件，其参数适用于低压电源管理、电池保护及负载切换电路。在20V耐压范围内，35毫欧的导通阻抗有助于控制功耗与温升，常见于便携式电子设备、通信模块供电及消费电子产品的电源路径管理中，满足中小电流应用场景的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AO3495
商品编号: C54582698
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.039796克(g)

商品参数

AO3495采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。