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DMG2305UX-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件在低电压条件下具备优良的导通特性，适用于电池保护、负载开关及便携式设备电源管理电路。其低导通损耗有助于提升系统效率，适合对空间与功耗敏感的消费电子应用，如移动终端、可穿戴设备及数码产品中的功率控制模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMG2305UX-13-HXY
商品编号: C54582699
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.043克(g)

商品参数

DMG2305UX - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。