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AON6368

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源电压耐受20V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。其参数设计兼顾效率与热管理需求，适合高频率切换应用，能有效降低系统能耗并提升功率密度表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON6368
商品编号: C54582696
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

AON6368采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用